數字晶體管的測試原理與精確測試方法
數字晶體管的測試與一般小信號晶體管相比，有較大的區別，主要測輸入截止電壓Vi（off）（7BTON），輸入開(kāi)啟電壓Vi（on）（8BTON），輸出電壓Vo（on）（9VCESAT），輸入截止電流Ii（10IEB），輸出截止電流Io（off）（11ICES），直流電流增益Gi（12HFE），電阻R1（22R1），電阻R2（23R2）括號內對應附表中計算機測試程序中的相應項，其中電阻R1與R2因不能直接測試，要測試正確比較困難。 分析儀| 溶氧計| 電導度計| PH計| 酸堿計| 糖度計| 鹽度計| 酸堿度計| 電導計| 水分測定儀| 濁度計|
下面以DTC114ESA舉例說(shuō)明測試原理。
如圖2所示，由于基極與發(fā)射極上并聯(lián)了一只10K電阻，基極上又串聯(lián)一只10K的電阻，測試時(shí)晶體管eb結構的特性就與小信號晶體管eb結的正反向特征有很大區別，一般晶體管的正向特性曲線(xiàn)如圖3所示，從0.7V左右正向電流隨正向電壓徒直上升，方向特性在6～10V左右開(kāi)始雪崩擊穿，像一只6～10V的穩壓二極管如圖4所示，而數字晶體管串聯(lián)R1及并聯(lián)R1電阻后，輸入特性曲線(xiàn)如圖5所示，所加正向電壓小于0.7V時(shí)，晶體管可當作截止狀態(tài)，eb兩端的電壓除以電流，所得的電阻R為R1與R2之和。當所加正向電壓大于0.7V時(shí)，晶體管可作為導通，導通時(shí)電阻R2與eb結正向結電阻并聯(lián)近似，eb結兩端測得的電壓除以電流所得的電阻就是R1，再把R值減去R1值，就是R2的電阻值。

數字晶體管的反向特性與一般小信號晶體管的反向特性差別更大，如圖6，由于eb結上并聯(lián)了一個(gè)電阻R2。在eb結上一加反向電壓，就有反向電流（如測輸出特性曲線(xiàn)有嚴重小電流現象，使用者不要一看到小電流就認為是不良品），隨著(zhù)反向電壓的增加，反向電流逐漸上升，呈現一典型電阻特性，把測出兩端所加電壓的差值與電流差值相比，就是電阻R（等于R1＋R2）的值，當反向電壓加到大于晶體管的eb結反向擊穿電壓時(shí)，eb結雪崩擊穿，eb結上并聯(lián)的電阻R2被短路，但曲線(xiàn)不是垂直向上，因為基極里有串聯(lián)電阻R1，其傾斜部分直線(xiàn)的斜率（電壓差除以電流差）就是電阻R1的值，再把R值減去R1的值就是電阻R2的值。
從理論上分析，用測正向特性的方法來(lái)測兩個(gè)電阻正確性比較差，因為加正向電壓時(shí)，晶體管的eb結并不要到0.7V才導通，加到0.5V電壓就有一點(diǎn)點(diǎn)正向電流出現，正向電壓加到0.7V以上正向電流迅速上升時(shí)，上升曲線(xiàn)也不完全是一條直線(xiàn)。因為所測得的總電阻R及電阻R1均有誤差，從圖5可看出兩個(gè)電阻線(xiàn)段帶有一點(diǎn)非線(xiàn)性，而用測反向特性的方法來(lái)測電阻，理論上講正確性好，因為eb結反向擊穿前，eb結的反向電流基本等于0，相當于完全截止，可以正確測出R，而反向雪崩擊穿后電阻R2被短路，完全導通，能夠正確測出R1。