超痕量分析高純胂的微電子產(chǎn)業(yè)中的雜質(zhì)
摘要
        如砷化氫工藝氣體的純度是至關(guān)重要的成功制造高亮度的光電器件，如場(chǎng)效應晶體管，HEMT器件和異質(zhì)結雙極晶體管的高速晶體管。許多薄膜沉積過(guò)程是敏感氣體中的雜質(zhì)在每十億分之一（ppb）的水平或以下，所以必須嚴格工藝氣體微量雜質(zhì)的自由。例如痕量鍺是一種n型摻雜，降低了基于GaAs的光學(xué)器件的發(fā)光效率。鍺也增加了漏電流，減少了晶體管的增益。溫濕度儀 | 電流表 | 滴定儀 | 鉗表 | 電源供應器 | 氣體檢測儀 | 煙氣分析儀 | 平嘴鉗 | 電導計 | 扁嘴鉗 | 水分測定儀 | 紅外線(xiàn)測溫儀
作為設備的性能要求的提高，需要高純度氫前兆和方法來(lái)分析和控制這些微量的“殺手锏”雜質(zhì)，必須予以追究。到現在為止，如GC-迪拉姆技術(shù)已用于檢測，如硅烷，鍺和氫硫化物在低ppb水平的氫雜質(zhì)，但PPT敏感性已不可能。在本文中，我們討論中的雜質(zhì)的色譜分析的進(jìn)展，包括發(fā)展與超痕量鍺雜質(zhì)分析，電感耦合等離子體質(zhì)譜，氣相色譜儀在高純度胂。有密切關(guān)系的這一分析，首先分離從胂矩陣氣體的毛細管氣相色譜法，然后介紹到葛檢測監測質(zhì)量離子m / z 74 ICPMS法。這鍺同位素的自然豐度最大，是從分子離子干擾。因此，超痕量檢測有密切關(guān)系下降43個(gè)百分點(diǎn)是有可能在砷化氫。該方法也超過(guò)5個(gè)數量級的線(xiàn)性。
下圖顯示的GC-ICPMS高純度胂樣品和無(wú)250 PPT有密切關(guān)系的穗單離子色譜。峰值在純化砷化色譜的有密切關(guān)系的保留時(shí)間的情況下表示，有密切關(guān)系的雜質(zhì)是在這個(gè)缸的方法檢出限以下。