紫外可見(jiàn)分光光度法的基礎知識
紫外-可見(jiàn)吸收光譜是分子中的價(jià)電子在不同的分子軌道之間躍遷而產(chǎn)生的。分子中的價(jià)電子包括形成單鍵的σ電子、雙鍵的π電子和非成鍵的n電子（亦稱(chēng)p電子）。分子中不同軌道的價(jià)電子具有不同能量，處于低能級的價(jià)電子吸收一定能量后，就會(huì )躍遷到較高能級。
在紫外和可見(jiàn)光區范圍內，有機化合物的吸收光譜主要有σ-σ*、π-π*、n-σ*、n-π*及電荷遷移躍遷產(chǎn)生，無(wú)機化合物的吸收光譜主要由電荷遷移躍遷和配位場(chǎng)躍遷產(chǎn)生。
1σ-σ*
處于σ成鍵軌道上的電子吸收光能后躍遷到σ*反鍵軌道。分子中σ鍵較為牢固，故躍遷需要較大的能量。吸收峰在遠紫外區。飽和烴類(lèi)吸收峰波長(cháng)一般都小于150nm，在200~400nm范圍沒(méi)有吸收。
2π-π*
處于π成鍵軌道上的電子躍遷到π*反鍵軌道上，所需的能量小于σ-σ*躍遷所需的能量，孤立的π-π*躍遷一般發(fā)生在波長(cháng)200nm左右，其特征是吸光系數ε很大，一般 ε>104 ，為強吸收。共軛鍵愈長(cháng)躍遷所需能量愈小。
3n-σ*
含-OH,-NH2,-X,-S等基團化合物，其雜原子中孤對電子吸收能量后向σ*反鍵軌道躍遷，這種躍遷可以吸收波長(cháng)在200nm左右。
4n-π*
含有雜原子不飽和基團，如C=O、C=S、-N=N-等化合物，其非鍵軌道中孤對電子吸收能量后，向π*反鍵軌道躍遷，這種躍遷吸收峰一般在近紫外區（200~400nm）。吸收強度弱，ε小，約在10~100之間。
5電荷遷移躍遷
指用電磁輻射照射化合物時(shí)，電子從給予體向接受體相聯(lián)系的軌道上的躍遷。因此電荷遷移實(shí)質(zhì)是一個(gè)內氧化還原過(guò)程，而相應的吸收光譜稱(chēng)為電荷遷移吸收光譜。某些有機化合物如取代芳烴可產(chǎn)生這種分子內電荷的遷移吸收。許多無(wú)機物配合物也有電荷遷移吸收光譜，不少過(guò)渡金屬離子與含生色團的試劑反應所生成的配合物以及許多水合無(wú)機離子均可產(chǎn)生電荷遷移躍遷。電荷遷移躍遷吸收光譜最大的特點(diǎn)是摩爾吸光系數較大，一般εmax>104,用于定量分析，可以提高檢測的靈敏度。
6配位場(chǎng)躍遷
在配體存在下過(guò)渡元素5個(gè)能量相等的d軌道和鑭、錒元素7個(gè)能量相等的f軌道分別裂分成幾組能量不等的d軌道及f軌道，當它們吸收光后，低能態(tài)的電子或f電子可以分別躍遷到高能態(tài)的d或f軌道上去，由于這類(lèi)躍遷必須在配體的配位場(chǎng)作用下才有可能產(chǎn)生，因此稱(chēng)為配位場(chǎng)躍遷。與電荷遷移躍遷比較，由于選擇規則的限制，配位場(chǎng)躍遷吸收的摩爾吸光系數較小，一般ε
max<10
2,位于可見(jiàn)光區。
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